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PESD5V0S2BQA

Marking：000110；Package：DFN1010D-3；Protection against high surge currents in ultra small DFN1010D-3 package

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA114EMB

Marking：00011001；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA124XMB

Marking：00011000；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = 47 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC124XMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMH850UPE

Marking：00011001；Package：SOT8001；30 V, P-channel Trench MOSFET

description P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PESD5V0U2BMB

Marking：00011010；Package：DFN1006B-3；Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    000110

  • 制造商：

    SCHURTER

  • 功能描述：

    New

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SCH
N/A
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公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣(mài)中!!!
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一級(jí)代理,原裝正品現(xiàn)貨
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22+
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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AMP
23+
SMD
28533
原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗 假一罰十!
 詢(xún)價(jià)
AMP
ROHS
13352
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢(xún)價(jià)
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
更多000110供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 10:32:00

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