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ZXT10P12DE6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

ZXT10P12DE6
廠商型號

ZXT10P12DE6
參數(shù)屬性

ZXT10P12DE6 封裝/外殼為SOT-23-6；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 12V 3A SOT23-6
功能描述

12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
封裝外殼

SOT-23-6
文件大小

232.51 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Zetex Semiconductors
企業(yè)簡稱

Zetex

中文名稱

Zetex Semiconductors官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 22:59:00
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ZXT10P12DE6規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

? Low Equivalent On Resistance

? Extremely Low Saturation Voltage

? hFE characterised up to 10A

? IC=3A Continuous Collector Current

? SOT23-6 package

APPLICATIONS

? DC - DC Converters

? Power Management Functions

? Power switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ZXT10P12DE6TC

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 50mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    300 @ 100mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    110MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-23-6

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-6

  • 描述：

    TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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