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ZXM62P03E6TA	文件：292.86 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?FastSwitchingSpeed ?LowOn-Resistance ?LowThreshold ?LowGateDrive	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXM62P03E6TA	文件：457.45 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ZXM62P03E6TA	文件：205.2 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES ?Lowon-resistance ?Fasts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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ZXM62P03E6	文件：565.87 Kbytes Page：7 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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ZXM62P03E6TC	文件：285.93 Kbytes Page：7 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXM62P03E6TC	文件：292.86 Kbytes Page：7 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?FastSwitchingSpeed ?LowOn-Resistance ?LowThreshold ?LowGateDrive	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

詳細參數(shù)

型號：
ZXM62P03E6TA
功能描述：
MOSFET 30V P-Chnl HDMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ZXM62P03E6TA供應(yīng)商更新時間2025-4-12 16:04:00

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