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ZTX655	文件：44.77 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES 150VoltVCEO 1Ampcontinuouscurrent Lowsaturationvoltage Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZTX655	文件：72.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES 150VoltVCEO 1Ampcontinuouscurrent Lowsaturationvoltage Ptot=1Watt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZTX655STOA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：E-Line-3，成型引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 150V 1A E-LINE	PAM Diodes Incorporated	PAM
ZTX655STOB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：E-Line-3，成型引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 150V 1A E-LINE	PAM Diodes Incorporated	PAM
655	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
655H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ALC655	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp. 瑞昱瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司	REALTEK
ALC655-LF	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp. 瑞昱瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司	REALTEK
AT655	文件：44.29 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto2800V Meanon-statecurrent1545A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
C655	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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CED655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
ZTX655
功能描述：
兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ZTX655供應(yīng)商更新時間2025-1-11 16:00:00

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