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ZTX605分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

ZTX605
廠商型號(hào)

ZTX605

參數(shù)屬性

ZTX605 封裝/外殼為E-Line-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

311.63 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 12:20:00

ZTX605規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 120V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ZTX605

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 1A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    E-Line-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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