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ZT120LACTC	文件：46.38 Kbytes Page：1 Pages	Frequency 3900 ? 500 Hz	MSPIMallory Sonalert Products Inc 馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司	MSPI
ZT120LACTC15	文件：46.4 Kbytes Page：1 Pages	Recommended hole size is 22.5 mm. Thread front will fit standard 22.5mm hole.	MSPIMallory Sonalert Products Inc 馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司	MSPI
ZT120LACTC30	文件：46.39 Kbytes Page：1 Pages	Recommended hole size is 22.5 mm. Thread front will fit standard 22.5mm hole	MSPIMallory Sonalert Products Inc 馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司	MSPI
ZT120LACTG	文件：132.41 Kbytes Page：1 Pages	Recommendedholesizeis22.5mm.Threadfrontwillfitstandard22.5mmhole	MSPIMallory Sonalert Products Inc 馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司	MSPI
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ZT120LACTY	文件：132.41 Kbytes Page：1 Pages	VoltageRating90to120VAC	MSPIMallory Sonalert Products Inc 馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司	MSPI
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ZVNL120A	文件：61.26 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10? Lowthreshold APPLICATIONS Telephonehandsets	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZVNL120A	文件：49.95 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10? Lowthreshold APPLICATIONS Telephonehandsets	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODE Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?HighVoltage ?LowOn-resistance ?FastSwitchingSpeed ?LowG	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
ZVNL120G	文件：47.65 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET FEATURES VDS-200V RDS(ON)-10? PARTMARKINGDETAIL-ZVNL120	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVNL120GTA	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
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ZX120	文件：112.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) ?Maximumpowerdissipation12.5W ?NominalZ-voltage10...200V ?MetalcaseDO-4 ?Weightapprox.5.5g ?Standardpolarity:Cathodetos	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
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ZY120	文件：102.78 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES ?SiliconPowerZenerDiodes ?Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating ?TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Smallervoltagetolerancesareavailableuponrequest.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
ZY120	文件：48.06 Kbytes Page：2 Pages	Lowleakagecurrent	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨啟半導(dǎo)體上海晨啟半導(dǎo)體有限公司	SEMITECH

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更多ZT120LACTC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-5 10:18:00

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