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014	文件：899.27 Kbytes Page：1 Pages	Fieldreplaceablebearingsandelectronics	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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AEFD014SI	文件：280.38 Kbytes Page：1 Pages	EFD20HIGHFREQUENCYPoETRANSFORMER	ALLIED Allied Components International	ALLIED
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AUIRFL014N	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL014N	文件：221.02 Kbytes Page：11 Pages	LowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AUIRFL014N	文件：416.93 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFL014NTR	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
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AUIRLL014N	文件：554.54 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014N	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014N	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014NTRL	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014NTRL	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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