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YJD30N02A	文件：597.23 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
30N02	文件：1.01517 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
DTU30N02	文件：1.09254 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
DTU30N02	文件：1.72657 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU30N02	文件：308.72 Kbytes Page：9 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
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EMF30N02H	文件：222.07 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS20V RDSON(MAX.)30mΩ ID10A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMF30N02JS	文件：216.01 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS20V RDSON(MAX.)30mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMF30N02P	文件：218.27 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS20V RDSON(MAX.)30mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM30N02D	文件：867.6 Kbytes Page：6 Pages	Hardswitchedandhighfrequencycircuits	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM30N02K	文件：480.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM30N02Q	文件：713.69 Kbytes Page：6 Pages	Loadswitching	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
NTD30N02	文件：260.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=24V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD30N02	文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD30N02	文件：53.42 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD30N02G	文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SDD30N02	文件：898.78 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDD30N02	文件：864.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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更多YJD30N02A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-6 11:00:00

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