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YG868C12R中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

YG868C12R
廠商型號(hào)

YG868C12R

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

文件大小

268.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-19 20:00:00

YG868C12R規(guī)格書詳情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    YG868C12R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全稱:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    High Voltage Schottky barrier diode

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FUJITSU/富士通
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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