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YG858C15R中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

YG858C15R
廠商型號

YG858C15R

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

文件大小

268.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 23:00:00

YG858C15R規(guī)格書詳情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    YG858C15R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全稱:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Diode

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FUJI/富士電機(jī)
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