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WFU1N60C中文資料穩(wěn)先微電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

WFU1N60C
廠商型號(hào)

WFU1N60C

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET

文件大小

261.74 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Winsemi穩(wěn)先微電子

中文名稱

深圳市穩(wěn)先微電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-13 12:27:00

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WFU1N60C規(guī)格書詳情

General Description

Th is Power MOSFET is produced using Winsemi ’ s advanced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode power supply. electronic Lamp ballasts based on half bridge and UPS.

Features

■ 1.2A,600V, RDS(on)(Max8.5?)@VGS=10V

■ Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC)

■ Fast Switching Capability

■ 100Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range(150℃ )

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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