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W25N02JWZEIC

Package:8-WDFN 裸露焊盤;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V

Winbond Electronics

Winbond Electronics

Winbond Electronics

W25N02JWZEIC TR

Package:8-WDFN 裸露焊盤;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V

Winbond Electronics

Winbond Electronics

Winbond Electronics

CED25N02

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU25N02

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

SDD25N02

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    W25N02JWZEIC

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    SpiFlash?

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI - 四 I/O,DTR

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    700μs

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-WSON(8x6)

  • 描述:

    2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多W25N02JWZEIC供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 15:00:00