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W2312EP	文件：1.16588 Mbytes Page：6 Pages	Keysight EEsof EDA	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中國）有限公司	KEYSIGHT
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2312	文件：16.47 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KR KR Electronics, Inc.	KR
2312	文件：81.15 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 費(fèi)斯托公司德國FESTO費(fèi)斯托（中國）有限公司	FESTO
2312	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	HeycoHeyco. ?？?/span>海科(Heyco)	Heyco
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2312T	文件：761.47 Kbytes Page：2 Pages	PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing	SYSTEMSENSOR Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
AM2312	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ?VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Loweron-resistanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2312N	文件：317.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2312GN	文件：68.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
APM2312	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2312A	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2312AC-TR	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
BC2312	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BLM2312	文件：520.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m?@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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更多W2312EP供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 10:00:00

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