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VVZB135-16IOXT

Thyristor Module(3~ Rectifier Bridge, half-controlled (high-side) Brake Unit NTC)

3~RectifierBridge,half-controlled(high-side)+BrakeUnit+NTC Features/Advantages: ●PackagewithDCBceramic ●Improvedtemperatureandpowercycling ●Planarpassivatedchips ●Verylowforwardvoltagedrop ●Verylowleakagecurrent ●NTC Applications: ●3~Rectifierwithbrake

IXYS

IXYS Corporation

VVZB135-16IOXT

包裝：散裝 封裝/外殼：E2 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶閘管 - SCR - 模塊 描述：DIODE BRIDGE 1600V 150A

IXYS

IXYS Corporation

BD135-16

NPNSILICONTRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BD135-16

NPNpowertransistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD135-16

Complementarylowvoltagetransistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BD135-16

NPNSILICONTRANSISTORS

NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD135-16

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BD135-16

Complementarylowvoltagetransistor

Features ■Productsarepre-selectedinDCcurrentgain Application ■Generalpurpose Description Theseepitaxialplanartransistorsaremountedin theSOT-32plasticpackage.Theyaredesigned foraudioamplifiersanddriversutilizing complementaryorquasi-complementarycircuits.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BD135-16

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ?Highcurrent ?ComplementtoBD136,BD138andBD140

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BD135-16

Complementarylowvoltagetransistor

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BD135-16

PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

JCT135-16

SCRChip

JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd

捷捷微電江蘇捷捷微電子股份有限公司

JME135-16

Chip-doublemesaSCRsofreverseblockinghigh-voltage

JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd

捷捷微電江蘇捷捷微電子股份有限公司

NKT135-16A

ThyristorDiodeandThyristor//Thyristor,135A(NewINT-A-PAKPowerModules)

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VVZB135-16IOXT

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶閘管 - SCR - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • 結(jié)構(gòu)：

    橋接，3 相 - SCR/二極管 - IGBT 帶二極管

  • SCR 數(shù)，二極管：

    3 SCRs，3 個二極管

  • 電流 - 非重復(fù)浪涌 50、60Hz (Itsm)：

    700A，755A

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    E2

  • 描述：

    DIODE BRIDGE 1600V 150A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
module
1525
專營功率模塊,現(xiàn)貨庫存
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IXYS
19+/20+
E2
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
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IXYS
21+
模塊
12588
原裝正品,一級品牌代理
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IXYS/艾賽斯
專業(yè)模塊
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8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
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IXYS
2018+
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6000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰
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IXYS
22+
模塊
200
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303
 詢價
更多VVZB135-16IOXT供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 8:38:00

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