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VT5202-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT5202-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT5202-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

VishayVishay Siliconix

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VT5202-M3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT5202-M3/4W

Package：TO-220-2；包裝：管件管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VBT5202-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

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VBT5202-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VBT5202-M3

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更多VT5202-M3供應(yīng)商 更新時間2025-3-28 15:53:00

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