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VT3060GHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaximum

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VIT3060GHM3-4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaximum

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VT3060GHM3-4W

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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23+
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8000
只做原裝現(xiàn)貨
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更多VT3060GHM3-4W供應商 更新時間2024-10-31 15:43:00

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