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VT2080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C-E3

Trench MOS Schottky technology

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C-E3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080CHM3-4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C-M3-4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C_12

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2080C_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VT2080C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
2020+
TO220AB
100
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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90000
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO220AB
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TO220AB
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多VT2080C供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 17:55:00

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