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VT10200C-E3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多VT10200C-E3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-11 16:00:00