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VSMY2853G

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY2853series areinfrared,850nmemittingdiodesbasedonGaAlAs surfaceemitterchiptechnologywithextremehighradiant intensities,highopticalpowerandhighspeed,moldedin clear,untintedplasticpackages(withlens)forsurfa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853G

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853G

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853G

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853G

Package：2-SMD，鷗翼；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見(jiàn)光 描述：EMITTER IR 850NM 100MA SMD

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

VSMY2853G_V02

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853GX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY2853GX01_V01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VSMY2853G

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見(jiàn)光

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時(shí)最小輻射強(qiáng)度 (Ie)：

    20mW/sr @ 100mA

  • 波長(zhǎng)：

    850nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.65V

  • 視角：

    56°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    2-SMD，鷗翼

  • 描述：

    EMITTER IR 850NM 100MA SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多VSMY2853G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 14:16:00

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