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VSMY12850

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY12850isan infrared,850nm,toplookingemittingdiodebasedon GaAlAssurfaceemitterchiptechnologywithextremehigh radiantintensities,highopticalpowerandhighspeed, moldedinclear,untintedPCBbasedpackage(withinner

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY12850

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm,Surface Emitter Technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY12850

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY12850

Package：1206（3216 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光 描述：EMITTER IR 850NM 70MA SMD

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

VSMY12850_V02

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY12850isan infrared,850nm,toplookingemittingdiodebasedon GaAlAssurfaceemitterchiptechnologywithextremehigh radiantintensities,highopticalpowerandhighspeed, moldedinclear,untintedPCBbasedpackage(withinner

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSMY12850_V01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VSMY12850

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    70mA

  • 不同 If 時最小輻射強度 (Ie)：

    16mW/sr @ 70mA

  • 波長：

    850nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.4V

  • 視角：

    80°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    1206（3216 公制）

  • 描述：

    EMITTER IR 850NM 70MA SMD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VSMY12850供應(yīng)商 更新時間2025-6-27 15:01:00

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