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VSLY5850

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSLY5850isan infrared,850nmemittingdiodebasedonGaAlAssurface emitterchiptechnologywithextremehighradiantintensity, highopticalpowerandhighspeed,moldedinaclear, untintedplasticpackage,withaparaboliclens. F

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850

High Speed Infrared Emitting Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850

Package：T 1 3/4；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光 描述：EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

VSLY5850_V02

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850_13

High Speed Infrared Emitting Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSLY5850_V01

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

VishayVishay Siliconix

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5850

3M??Clean-ViewPad5850

3M

3M Electronics

ALN5850

InternallyMatchedLNAModule

ASB

Advanced Semiconductor Business Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VSLY5850

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 系列：

    SurfLight?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時最小輻射強(qiáng)度 (Ie)：

    300mW/sr @ 100mA

  • 波長：

    850nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.65V

  • 視角：

    6°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    T 1 3/4

  • 描述：

    EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VSLY5850供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 16:01:00

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