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VS-GT300YH120N

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

FEATURES ?1200VIGBTtrenchandfieldstoptechnology withpositivetemperaturecoefficient ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?10μsshortcircuitcapability ?Lowinductancecase ?HEXFRED?antiparallelandseriesdiodeswithsoftreverse recovery ?Isolated

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT300YH120N

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

FEATURES ?1200VIGBTtrenchandfieldstoptechnology withpositivetemperaturecoefficient ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?10μsshortcircuitcapability ?Lowinductancecase ?HEXFRED?antiparallelandseriesdiodeswithsoftreverse recovery ?Isolated

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT300YH120N

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT300YH120N

Package：雙 INT-A-PAK（3 + 8）；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GT300YH120N_V01

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

FEATURES ?1200VIGBTtrenchandfieldstoptechnology withpositivetemperaturecoefficient ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?10μsshortcircuitcapability ?Lowinductancecase ?HEXFRED?antiparallelandseriesdiodeswithsoftreverse recovery ?Isolated

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT300YH120N_V02

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

FEATURES ?1200VIGBTtrenchandfieldstoptechnology withpositivetemperaturecoefficient ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?10μsshortcircuitcapability ?Lowinductancecase ?HEXFRED?antiparallelandseriesdiodeswithsoftreverse recovery ?Isolated

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-GT300YH120N

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.17V @ 15V，300A（標(biāo)準(zhǔn)）

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    雙 INT-A-PAK（3 + 8）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    雙 INT-A-PAK

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Vishay General Semiconductor -
24+
雙 INT-A-PAK(3 + 8)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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雙 INT-A-PAK
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Vishay General Semiconductor -
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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Double INTAPAK
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多VS-GT300YH120N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 14:14:00

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