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VS-GT200SA60UP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VS-GT200SA60UP
廠商型號(hào)

VS-GT200SA60UP

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 200 A

文件大小

176.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 8:24:00

VS-GT200SA60UP規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench IGBT technology with positive

temperature coefficient

? Square RBSOA

? 5 μs short circuit capability

? TJ maximum = 175 °C

? Fully isolated package

? Very low internal inductance (≤ 5 nH typical)

? Industry standard outline

? UL approved file E78996

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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