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VS-C04ET07T-M3_V01

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 4 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitchingbehavior ?175°Cmaximumoperatingjunctiontemperatur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VS-C04ET07T-M3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-31 17:07:00

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