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VS-1N1184RA

包裝：散裝 封裝/外殼：DO-203AB，DO-5，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N1184

DEVICEHIGHPOWERSTANDARD

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000V

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1184

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1184

SiliconStandardRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50to300VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1184

StandardRecoveryDiode,35A

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

1N1184

STANDARDRECOVERYRECTIFIER

STANDARDRECOVERYRECTIFIER

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N1184

Silicon-Power-Rectifiers

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1184

SiliconPowerRectifier

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1184

SiliconPowerRectifier

SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N1184

35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes

35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes

IRF

International Rectifier

1N1184

MilitarySiliconPowerRectifier

HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 ?GlassPassivatedDie ?GlasstoMetalSealConstruction ?500AmpsSurgeRating ?VRRMto1000Volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1184

SiliconPowerRectifier

SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1184

Silicon-PowerRectifiers

Silicon-PowerRectifiers ?Nominalcurrent35A ?Repetitivepeakreversevoltage50~1000V ?MetalcaseDO-5 ?Weightapprox.6g ?Standardpolarity:Cathodetostud ?IndexR:Anodetostud ?Standardpackaging:bulk

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1184

PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A

DESCRIPTION/FEATURES ?Lowleakagecurrentseries ?Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A ?Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N1184

PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N1184

HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1184

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1184

General-Purpose

AMMSEMI

American Microsemiconductor

1N1184A

StandardRecoveryDiode,40A

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

1N1184A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-1N1184RA

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標準型，反極性

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    40A

  • 速度：

    標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-203AB（DO-5）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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