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VNS3NV04P-E集成電路(IC)的配電開(kāi)關(guān)負(fù)載驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

VNS3NV04P-E
廠商型號(hào)

VNS3NV04P-E

參數(shù)屬性

VNS3NV04P-E 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC)的配電開(kāi)關(guān)負(fù)載驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC

功能描述

fully autoprotected Power MOSFET
IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

287.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 22:58:00

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VNS3NV04P-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 配電開(kāi)關(guān),負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列:

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 輸出數(shù):

    2

  • 輸出配置:

    低端

  • 電流 - 輸出(最大值):

    3.5A

  • 導(dǎo)通電阻(典型值):

    120 毫歐

  • 輸入類型:

    非反相

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 描述:

    IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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