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VNP35NV04-E集成電路(IC)的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
VNP35NV04-E |
參數(shù)屬性 | VNP35NV04-E 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB |
功能描述 | OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
561.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
27 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-20 16:24:00 |
VNP35NV04-E規(guī)格書詳情
Description
The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics? VIPower? M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
Features
? Linear current limitation
? Thermal shutdown
? Short circuit protection
? Integrated clamp
? Low current drawn from input pin
? Diagnostic feedback through input pin
? ESD protection
? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
? Compatible with standard Power MOSFET
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
VNP35NV04-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
集成電路(IC) > 配電開關(guān),負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
- 系列:
OMNIFET II?, VIPower?
- 包裝:
管件
- 開關(guān)類型:
通用
- 輸出數(shù):
1
- 比率 - 輸入:
1:1
- 輸出配置:
低端
- 輸出類型:
N 通道
- 接口:
開/關(guān)
- 電壓 - 負(fù)載:
36V(最大)
- 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):
不需要
- 電流 - 輸出(最大值):
30A
- 導(dǎo)通電阻(典型值):
13 毫歐(最大)
- 輸入類型:
非反相
- 故障保護(hù):
限流(固定),超溫,過壓
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 描述:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
2018+ |
26976 |
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詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-220-3 |
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ST/意法 |
21+ |
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ST |
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ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
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詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
TO-220-3 |
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ST |
24+ |
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8866 |
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