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VND810PEP-E中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VND810PEP-E
廠商型號(hào)

VND810PEP-E

功能描述

DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

文件大小

533.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-10 23:00:00

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VND810PEP-E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The VND810PEP-E is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground.

General Features

■ CMOS COMPATIBLE INPUTS

■ OPEN DRAIN STATUS OUTPUTS

■ ON STATE OPEN LOAD DETECTION

■ OFF STATE OPEN LOAD DETECTION

■ SHORTED LOAD PROTECTION

■ UNDERVOLTAGE AND OVERVOLTAGE SHUTDOWN

■ PROTECTION AGAINST LOSS OF GROUND

■ VERY LOW STAND-BY CURRENT

■ REVERSE BATTERY PROTECTION (**)

■ IN COMPLIANCE WITH THE 2002/95/EC EUROPEAN DIRECTIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VND810PEP-E

  • 功能描述:

    功率驅(qū)動(dòng)器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER

  • RoHS:

  • 制造商:

    Micrel

  • 產(chǎn)品:

    MOSFET Gate Drivers

  • 類型:

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 電源電壓-最大:

    30 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.75 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-8

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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