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VND1NV0413TR

??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

VND1NV0413TR

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

VNN1NV0413TR

??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VND1NV0413TR

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負載：

    36V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    1.7A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    250 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VND1NV0413TR供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:02:00

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