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VNB35N07-E

??MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

VNB35N07-E

OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect

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VNB35N07-E

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

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VNB35N07TR-E

OMNIFET:fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect

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VNB35N07TR-E

OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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VNP35N07

??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheVNP35N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh

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VNP35N07-E

OMNIFET:fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect

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VNP35N07-E

OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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VNP35N07FI

OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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VNP35N07FI

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VNB35N07-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器

  • 系列：

    OMNIFET?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負載：

    55V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    25A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    28 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 特性：

    狀態(tài)標志

  • 故障保護：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
21+
NA
12500
只做全新原裝公司現(xiàn)貨特價
 詢價
STM
21+
SOP
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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ST(意法)
21+
5000
只做原裝 假一罰百 可開票 可售樣
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
22+
D2PAK
6000
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
 詢價
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
D2PAK
942
特價優(yōu)勢庫存質(zhì)量保證穩(wěn)定供貨
 詢價
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
D2PAK
5098
百分百原裝正品,可原型號開票
 詢價
ST/意法
24+
TO-263
504015
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
ST
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
ST
24+
D2PAK
8866
詢價
ST
23+
D2PAK
8650
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更多VNB35N07-E供應(yīng)商 更新時間2025-3-24 14:30:00

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