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VN0109N9中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VN0109N9
廠商型號

VN0109N9

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode

文件大小

68.09 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 17:08:00

VN0109N9規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    VN0109N9

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN TO-52 90V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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