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VMO650-01F中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VMO650-01F
廠商型號(hào)

VMO650-01F

功能描述

HiPerFET-TM MOSFET Module

文件大小

54.06 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-6 18:43:00

VMO650-01F規(guī)格書詳情

HiPerFET? MOSFET Module

N-Channel Enhancement Mode

Features

● International standard package

● Direct Copper Bonded Al2O3 ceramic base plate

● Isolation voltage 3600 V~

● Low RDS(on) HDMOSTM process

● Low package inductance for high speed switching

● Kelvin Source contact for easy drive

Applications

● AC motor speed control for electric vehicles

● DC servo and robot drives

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● DC choppers

Advantages

● Easy to mount

● Space and weight savings

● High power density

● Low losses

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VMO650-01F

  • 功能描述:

    MOSFET 650 Amps 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
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12500
IXYS全系列在售
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