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KSD261G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

KSD261G
廠商型號

KSD261G

參數(shù)屬性

KSD261G 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3

功能描述

Low Frequency Power Amplifier

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

38.83 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-11 20:22:00

KSD261G規(guī)格書詳情

Low Frequency Power Amplifier

? Complement to KSA643

? Collector Power Dissipation : PC=500mW

? Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KSD261GTA

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,1V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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