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VI20120SHM3-4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VI20120SHM3-4W
廠商型號(hào)

VI20120SHM3-4W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

129.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 22:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VI20120SHM3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱(chēng):

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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