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VI20120S-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
VI20120S-E3SLASH4W |
功能描述 | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
文件大小 |
162.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-1 23:00:00 |
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