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VI20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20120C-E3/4W

Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：散裝 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VB20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VF20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VI20120C-E3/4W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管配置：

    1 對(duì)共陰極

  • 二極管類(lèi)型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    10A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262AA

  • 描述：

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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Vishay General Semiconductor -
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TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
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二極管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多VI20120C-E3/4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 22:30:00

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