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VF40150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C_10

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40150C-E3/4W

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF40150C-E3R/4W

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 150V

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF40150C-M3/4W

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 40A 100V ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數(shù)

  • 型號:

    VF40150C

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8048
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
詢價
VISHAY
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
VISHAY
1735+
TO220F
6528
科恒偉業(yè)!只做原裝正品!假一賠十!
詢價
VISHAY
2020+
TO220F
8000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價
VISHAY
23+
TO220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
VISHAY/威世
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220
6000
原裝正品,支持實單
詢價
VISHAY
0714+
TO220F
33
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
更多VF40150C供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 23:00:00