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VF30120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C-E3

Trench MOS Schottky technology

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C_10

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120C-E3/4W

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF30120C-M3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VF30120C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8248
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
 詢價
VISHAY
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
VISHAY
21+
ITO-220AB
6000
絕對原裝現(xiàn)貨
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
2022+
TO-220
12888
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價
-
23+
TO-220F
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
VISHAY/威世通
23+
TO-220
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價
VISHAY/威世
22+
TO-220F
50000
只做正品原裝,假一罰十,歡迎咨詢
 詢價
VISHAY/威世
24+
TO-220F
10000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價
更多VF30120C供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 20:00:00

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