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VF20202G

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF20202G

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF20202G

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導體

VF20202G-M3/4W

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTKY 200V 10A ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VI20202C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VI20202C

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DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VishayVishay Siliconix

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VX20202C

DualHighVoltageTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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保證原裝正品,假一陪十
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VISHAY/威世
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108000
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更多VF20202G供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 17:07:00

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