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VBT3045BP-E3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VBT3045BP-E3_V01
廠商型號

VBT3045BP-E3_V01

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

文件大小

98.34 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 16:19:00

VBT3045BP-E3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C

? TJ = 200 °C max. in solar bypass application

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in solar cell junction box as a bypass diode for

protection, using DC forward current without reverse bias.

MECHANICAL DATA

Case: D2PAK (TO-263AB)?

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: as marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum?

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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