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VBT1080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-M3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-M3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-E3/4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-E3/8W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-M3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-M3_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT1080C-E3/8W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT1080C-M3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT1080C-M3/8W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    VBT1080C

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 10A,80V,Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
23+
TO263
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世
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20000
保證原裝正品,假一陪十
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10000
公司只做原裝正品
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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TO263AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-263AB
6000
原裝正品，支持實單
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VIS
22+
TO-263AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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TO263AB
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Vishay General Semiconductor -
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TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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更多VBT1080C供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 11:09:00

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