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VBM165R18

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

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VBM165R18_V01

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBL165R18

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更多VBM165R18供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 15:00:00