VBM165R02中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
VBM165R02 |
| 功能描述 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
808.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-22 18:30:00 |
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VBM165R02規(guī)格書詳情
FEATURES
? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi(微碧) |
23+ |
TO220AB3 |
5000 |
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詢價 | ||
VBsemi(臺灣微碧) |
2447 |
TO-220AB |
105000 |
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VBSEMI臺灣微碧 |
23+ |
TO-220AB |
22820 |
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VBSEMI |
2117+ |
TO-220F |
140 |
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