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VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB20150SG-E3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VB20150SG-E3/8W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    TMBS?

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    20A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    TO-263AB（D2PAK）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VB20150SG-E3/8W供應商 更新時間2025-1-21 14:18:00

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