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V60M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C-M3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120CHM3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120CHM3

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C-M3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C-M3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120C-M3_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60M120CHM3/4W

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多V60M120C供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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