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V60DM100C-M3SLASHI中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V60DM100C-M3SLASHI
廠商型號

V60DM100C-M3SLASHI

功能描述

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5.0 A

文件大小

110.79 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-10 17:19:00

V60DM100C-M3SLASHI規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Very low profile - typical height of 1.7 mm

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY(威世)
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