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V40120C	文件：141.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C	文件：546.42 Kbytes Page：2 Pages	Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier Features ·TrenchMosSchottkyBarrier ·GuardringforovervoltageProtection ·LowForwardVoltageDrop ·LowReverseLeakageCurrent ·HighSurgeCurrentCapability ·PlasticMaterialhasULFlammability Classification94V-O	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
V40120C	文件：239.87 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Guard-RingforStressProtection ·LowForwardVoltage ·HighOperatingJunctionTemperature ·LowPowerLoss/HighEfficiency ·Highsurgecapability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
V40120C	文件：156.432 Kbytes Page：6 Pages	VISHAY全系列庫(kù)存真實(shí)庫(kù)存原裝現(xiàn)貨	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 PDF上傳者：深圳市千度貿(mào)易有限公司	Vishay
V40120C	文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C	文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C_V01	文件：141.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI_V01	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C_08	文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C_11	文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C_15	文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C_15	文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C-E3/45	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C-E3/4W	文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CHM3-4W	文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI	文件：135.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI-M3/P	文件：135.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120C-M3-4W	文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
V40120C
制造商：
VISHAY
制造商全稱(chēng)：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市卓越微芯電子有限公司	V40120C	VISHAY	2020+	TO220	140	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
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