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V30100C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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廠商型號(hào) |
V30100C-E3SLASH4W |
功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
文件大小 |
167.4 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱(chēng) | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-3 10:06:00 |
人工找貨 | V30100C-E3SLASH4W價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
V30100C-E3SLASH4W規(guī)格書(shū)詳情
Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Low thermal resistance
? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO220 |
7350 |
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詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
22+23+ |
TO-220AB |
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
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TO-220 |
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23+ |
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3190 |
原廠原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-220AB |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅 |
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