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2P6M

Blockingvoltageto600V

Description Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurpose switchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlyto microcontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircu

HAOPINHAOPIN MICROELECTRONICS CO.,LTD

好品微電子深圳市好品微電子有限公司

R2P6S

2PostStandardEquipmentRack

PANDUITPanduit Corp

Panduit公司Panduit科技有限公司

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PANDUITPanduit Corp

Panduit公司Panduit科技有限公司

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High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導體

SS2P6

HighCurrentDensitySurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

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威世科技威世科技半導體

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High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier

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HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifiers

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable ?Materialcategoriza

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V2P6

Surface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof0.65mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowpowerloss,highefficiency ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V2P6

Surface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V2P6L

Surface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?Lowprofilepackage ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3 ?Materialcategorization:fo

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更多V2P6X供應商 更新時間2025-3-26 10:07:00

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