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V20DM120C

Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakM3of260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable:

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20DM120CHM3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20DM120C-M3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20DM120CHM3/I

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 10A SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20DM120C-M3/I

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20DM120

DualHigh-VoltageTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    V20DM120C

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 功能描述：

    120V, 20A TMBS RECTIFIER M TYPE LOW LEAKAGE CURRENT PERFORMA - Tape and Reel

  • 功能描述：

    DIODE SCHOTT DUAL 120V 20A SMPD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多V20DM120C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 10:22:00

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